在线研讨会介绍
研讨会主题：后道互连工艺技术与可靠性
主办单位：Semiconductor International China 《半导体国际》
举行时间：2008年8月28日（20:00-21:05 ）
研讨会简介：半导体产业发展至今，大部分时间内Al 互连技术都扮演了极为重要的角色，铝材料和SiO2一直作为制造集成电路中的微连线或配线；0.13微米以下的设计标准中，采用铝微连线制造的器件开始在可靠性方面出现问题，基于双大马士革的铜互连工艺应运而生，成为后道工艺金属化的新标准，进一步改善互连性能的需求，推动今后互连技术的发展；而在成熟的工艺应用中，Al互连仍扮演着重要角色。如何在互连的材料、结构和设计方面进行革新，通过工艺优化控制缺陷率，提高互连的可靠性，成为业内共同的话题。
主要议题
·集成电路互连技术的发展趋势、应用以及挑战；
·互连结构的设计
·Al/Cu 制程互连工艺的实际案例分析（包括CVD/PVD、刻蚀、电镀、CMP 等工艺点）；
·新型材料的应用及对互连可靠性的影响；
·新型互连工艺的研发及应用。
演讲内容
Chanllenges on Cu Dual Damascene Technology in Mainland China
曹涯路，中芯国际，DCVD PE课经理
随着IC器件特征尺寸的不断缩小，0.13um以下制成所占比重日益增加。对Cu互连技术的要求越来越具挑战性，尤其表现三方面：产品良率、可靠性的提高、以及生产成本的控制。我们回顾了中芯国际铜互连工艺生产过程中所遇到的挑战，分析问题的成因，并获得合理低成本的解决方案。
Post-Interconnect integration with MEMS/Sensor
康晓旭博士，上海集成电路研发中心高级工程师，IEEE/EDS会员
专家嘉宾
演讲专家：曹涯路
专家职务：中芯国际，DCVD PE课经理
专家简介：曹涯路于2001和2004年在郑州大学和浙江大学分别获得材料科学与工程学士和硕士学位。2004年6月加入中芯国际BEOL CU TF部门。目前，担任DCVD PE课经理，负责Routine operation和新技术支持，关注PECVD设备、制成优化和新制成开发。
演讲专家：康晓旭
专家职务：上海集成电路研发中心，高级工程师
专家简介：康晓旭博士，上海集成电路研发中心高级工程师，IEEE/EDS会员，曾参与180nm/130nm技术代工艺平台的开发、和90nm技术代铜后道工艺的开发。